Биполярный транзистор с изолированным затвором(IGBT) - MGW12N120D
| Rating | Value/Unit |
|---|---|
| Полярность | N-Channel |
| Pc,max | 123W |
| Uce,max | 1200V |
| Ucg | 1200V |
| Ueg | ±20V |
| Uce sat. | 2.71V |
| Ic,max | 12A |
| Fr(ton/off) | 76/66nS |
| Cc,pF | 1003pF |
| Tj,max | 150ºC |
| Аналоги | |
| Производитель |
on semiБиполярные транзисторы on semiIGBT транзисторы on semiFET транзисторы on semi |
| Применение | IGBT Transistor With Anti-Parallel Diode |
| TO247 | Распиновка |
|---|---|
 |
 |