Биполярный транзистор с изолированным затвором(IGBT) - MGW21N60ED

Rating Value/Unit
Полярность N-Channel
Pc,max 142W
Uce,max 600V
Ucg 600V
Ueg ±20V
Uce sat. 2.1V
Ic,max 21A
Fr(ton/off) 29/238nS
Cc,pF 1605pF
Tj,max 150ºC
Аналоги
Производитель

on semi

Биполярные транзисторы on semi

IGBT транзисторы on semi

FET транзисторы on semi
Применение IGBT Transistor With Anti-Parallel Diode
TO-247 Распиновка