Биполярный транзистор с изолированным затвором(IGBT) - MGY25N120
| Rating | Value/Unit |
|---|---|
| Полярность | N-Channel |
| Pc,max | |
| Uce,max | 1200V |
| Ucg | |
| Ueg | |
| Uce sat. | |
| Ic,max | 25A |
| Fr(ton/off) | |
| Cc,pF | |
| Tj,max | 150ºC |
| Аналоги | |
| Производитель |
on semiБиполярные транзисторы on semiIGBT транзисторы on semiFET транзисторы on semi |
| Применение | IGBT Transistor |
| N/A | Распиновка |
|---|---|
 |
 |