Биполярный транзистор с изолированным затвором(IGBT) - MGY25N120D
| Rating | Value/Unit |
|---|---|
| Полярность | N-Channel |
| Pc,max | 212W |
| Uce,max | 1200V |
| Ucg | 1200V |
| Ueg | ±20V |
| Uce sat. | 3.24V |
| Ic,max | 25A |
| Fr(ton/off) | 91/196nS |
| Cc,pF | 1859pF |
| Tj,max | 150ºC |
| Аналоги | |
| Производитель |
on semiБиполярные транзисторы on semiIGBT транзисторы on semiFET транзисторы on semi |
| Применение | IGBT With Anti Parallel Diode |
| TO-264 | Распиновка |
|---|---|
 |
 |