Биполярный транзистор с изолированным затвором(IGBT) - NTE3311
| Rating | Value/Unit |
|---|---|
| Полярность | N-Channel |
| Pc,max | 150W |
| Uce,max | 600V |
| Ucg | |
| Ueg | |
| Uce sat. | |
| Ic,max | 25A |
| Fr(ton/off) | |
| Cc,pF | 1400 |
| Tj,max | 175ºC |
| Аналоги | |
| Производитель |
nteБиполярные транзисторы nteIGBT транзисторы nteFET транзисторы nte |
| Применение | Enhancement-mode IGBT |
| TO3P | Распиновка |
|---|---|
 |
 |