Биполярный транзистор с изолированным затвором(IGBT) - RCM10N35
| Rating | Value/Unit |
|---|---|
| Полярность | N-Channel |
| Pc,max | 75W |
| Uce,max | 350V |
| Ucg | 350V |
| Ueg | |
| Uce sat. | 4.5V |
| Ic,max | 10A |
| Fr(ton/off) | 100nS |
| Cc,pF | 800pF |
| Tj,max | 175ºC |
| Аналоги | |
| Производитель |
harrisБиполярные транзисторы harrisIGBT транзисторы harrisFET транзисторы harris |
| Применение | Power IGBT |
| TO-204 | Распиновка |
|---|---|
 |
 |