Биполярный транзистор с изолированным затвором(IGBT) - APT40GF120JRD
| Rating | Value/Unit |
|---|---|
| Полярность | N-Channel |
| Pc,max | 390W |
| Uce,max | 1200V |
| Ucg | 1200V |
| Ueg | ±20V |
| Uce sat. | |
| Ic,max | 40A |
| Fr(ton/off) | |
| Cc,pF | |
| Tj,max | 150ºC |
| Аналоги | |
| Производитель |
advanced powerБиполярные транзисторы advanced powerIGBT транзисторы advanced powerFET транзисторы advanced power |
| Применение |
| ISOTOP | Распиновка |
|---|---|
 |
 |