Биполярный транзистор с изолированным затвором(IGBT) - CT60AM-18B
| Rating | Value/Unit |
|---|---|
| Полярность | N-Channel |
| Pc,max | 200W |
| Uce,max | 900V |
| Ucg | - |
| Ueg | ±30V |
| Uce sat. | 2.7V |
| Ic,max | 60A |
| Fr(ton/off) | 0.05/0.2µS |
| Cc,pF | 5000pF |
| Tj,max | 150ºC |
| Аналоги | |
| Производитель |
mitsubishiБиполярные транзисторы mitsubishiIGBT транзисторы mitsubishiFET транзисторы mitsubishi |
| Применение | LOW SATURATION VOLTAGE IGBT |
| TO-3PL | Распиновка |
|---|---|
 |
 |