Биполярный транзистор с изолированным затвором(IGBT) - GT15J102
| Rating | Value/Unit |
|---|---|
| Полярность | N-Channel |
| Pc,max | 35W |
| Uce,max | 600V |
| Ucg | 600V |
| Ueg | ±20V |
| Uce sat. | 4V |
| Ic,max | 15A |
| Fr(ton/off) | 0.4/0.5µS |
| Cc,pF | 1100pF |
| Tj,max | 150ºC |
| Аналоги | |
| Производитель |
toshibaБиполярные транзисторы toshibaIGBT транзисторы toshibaFET транзисторы toshiba |
| Применение | High Power Switching |
| ISO220 | Распиновка |
|---|---|
 |
 |