Параметр | Значение/Ед.Измерения |
---|---|
Материал | Germanium |
Полярность | pnp |
Pc,max | 80mW |
Ucb,max | 15V |
Uce,max | - |
Ueb,max | 6V |
Ic,max | 10mA |
Ft,max | - |
Cctip,pF | - |
Hfe | 50MIN |
Tj,max | 75ºC |
Аналоги | AC125 2N406 MGT108G |
Изготовитель |
fujitsuБиполярные транзисторы fujitsuIGBT транзисторы fujitsuFET транзисторы fujitsu |
Назначение | Low Power, General Purpose |
to40 | Распиновка |
---|---|