Параметр | Значение/Ед.Измерения |
---|---|
Материал | Germanium |
Полярность | pnp |
Pc,max | 65mW |
Ucb,max | 18V |
Uce,max | - |
Ueb,max | 2V |
Ic,max | 40mA |
Ft,max | 2MHz |
Cctip,pF | 15 |
Hfe | 125T |
Tj,max | 75ºC |
Аналоги | AC125 2N1305 MGT108G |
Изготовитель |
matsushitaБиполярные транзисторы matsushitaIGBT транзисторы matsushitaFET транзисторы matsushita |
Назначение | RF, Low Power, General Purpose |
to5 | Распиновка |
---|---|