Параметр | Значение/Ед.Измерения |
---|---|
Материал | Germanium |
Полярность | pnp |
Pc,max | 83mW |
Ucb,max | 20V |
Uce,max | 12V |
Ueb,max | 10V |
Ic,max | 60mA |
Ft,max | 400KHz |
Cctip,pF | - |
Hfe | 80T |
Tj,max | 75ºC |
Аналоги | AC125 2N406 MGT108V |
Изготовитель |
matsushitaБиполярные транзисторы matsushitaIGBT транзисторы matsushitaFET транзисторы matsushita |
Назначение | Low Power, General Purpose |
to1 | Распиновка |
---|---|