Параметр | Значение/Ед.Измерения |
---|---|
Материал | Germanium |
Полярность | pnp |
Pc,max | 165mW |
Ucb,max | 32V |
Uce,max | - |
Ueb,max | 10V |
Ic,max | 100mA |
Ft,max | 200KHz |
Cctip,pF | - |
Hfe | 220T |
Tj,max | 75ºC |
Аналоги | AC125 2N406 MGT108G |
Изготовитель |
matsushitaБиполярные транзисторы matsushitaIGBT транзисторы matsushitaFET транзисторы matsushita |
Назначение | Low Power, General Purpose |
to1 | Распиновка |
---|---|