Параметр | Значение/Ед.Измерения |
---|---|
Материал | Germanium |
Полярность | pnp |
Pc,max | 80mW |
Ucb,max | 12V |
Uce,max | - |
Ueb,max | - |
Ic,max | 10mA |
Ft,max | 3MHz |
Cctip,pF | - |
Hfe | 100T |
Tj,max | 85ºC |
Аналоги | AC125 2N406 MGT108G |
Изготовитель |
fujitsuБиполярные транзисторы fujitsuIGBT транзисторы fujitsuFET транзисторы fujitsu |
Назначение | Low Power, Low Noise, General Purpose |
to1 | Распиновка |
---|---|