Параметр | Значение/Ед.Измерения |
---|---|
Материал | Silicon |
Полярность | pnp |
Pc,max | 10W |
Ucb,max | 50V |
Uce,max | 30V |
Ueb,max | 6V |
Ic,max | 2A |
Ft,max | 35MHz |
Cctip,pF | - |
Hfe | 50MIN |
Tj,max | 130ºC |
Аналоги | BD140 2N6180 2N5193 KT814V |
Изготовитель |
mitsubishiБиполярные транзисторы mitsubishiIGBT транзисторы mitsubishiFET транзисторы mitsubishi |
Назначение | Medium Power, High Current |
to126 | Распиновка |
---|---|