Параметр | Значение/Ед.Измерения |
---|---|
Материал | Silicon |
Полярность | pnp |
Pc,max | 800mW |
Ucb,max | 25V |
Uce,max | 18V |
Ueb,max | - |
Ic,max | 1A |
Ft,max | 50MHz |
Cctip,pF | - |
Hfe | 55/300 |
Tj,max | 130ºC |
Аналоги | BD140 2N6180 KT814G |
Изготовитель |
mitsubishiБиполярные транзисторы mitsubishiIGBT транзисторы mitsubishiFET транзисторы mitsubishi |
Назначение | Low Power, General Purpose |
to92 | Распиновка |
---|---|