Биполярный транзистор - 2SB526
| Параметр | Значение/Ед.Измерения |
|---|---|
| Материал | Silicon |
| Полярность | pnp |
| Pc,max | 10W |
| Ucb,max | 80V |
| Uce,max | 70V |
| Ueb,max | 6V |
| Ic,max | 2A |
| Ft,max | 35MHz |
| Cctip,pF | - |
| Hfe | 50MIN |
| Tj,max | 130ºC |
| Аналоги | BD442 2N5195 2SB527 2SB528 MJE350 KT814V |
| Изготовитель |
mitsubishiБиполярные транзисторы mitsubishiIGBT транзисторы mitsubishiFET транзисторы mitsubishi |
| Назначение | Medium Power, High Current |
| to126 | Распиновка |
|---|---|
 |
 |