Биполярный транзистор - 2SB529
| Параметр | Значение/Ед.Измерения |
|---|---|
| Материал | Silicon |
| Полярность | pnp |
| Pc,max | 10W |
| Ucb,max | 40V |
| Uce,max | 20V |
| Ueb,max | 5V |
| Ic,max | 2A |
| Ft,max | 35MHz |
| Cctip,pF | - |
| Hfe | 55/300 |
| Tj,max | 130ºC |
| Аналоги | BD738 2N6107 2N5193 KT814G |
| Изготовитель |
mitsubishiБиполярные транзисторы mitsubishiIGBT транзисторы mitsubishiFET транзисторы mitsubishi |
| Назначение | Medium Power, High Current |
| to126 | Распиновка |
|---|---|
 |
 |