Параметр | Значение/Ед.Измерения |
---|---|
Материал | Silicon |
Полярность | npn |
Pc,max | 600mW |
Ucb,max | 80V |
Uce,max | 60V |
Ueb,max | 5V |
Ic,max | 100mA |
Ft,max | 100MHz |
Cctip,pF | 6 |
Hfe | 60/200 |
Tj,max | 175ºC |
Аналоги | BFY51 2N2219A KT602V KT602B |
Изготовитель |
steБиполярные транзисторы steIGBT транзисторы steFET транзисторы ste |
Назначение | RF, Low Power, High Voltage |
to5 | Распиновка |
---|---|