Биполярный транзистор - 2SB558
| Параметр | Значение/Ед.Измерения |
|---|---|
| Материал | Silicon |
| Полярность | pnp |
| Pc,max | 60W |
| Ucb,max | 100V |
| Uce,max | 100V |
| Ueb,max | 5V |
| Ic,max | 7A |
| Ft,max | 4MHz |
| Cctip,pF | 400 |
| Hfe | 40/140 |
| Tj,max | 150ºC |
| Аналоги | BDX96 2N6226 2SA627 BDW52C BDW52B KT818GM |
| Изготовитель |
toshibaБиполярные транзисторы toshibaIGBT транзисторы toshibaFET транзисторы toshiba |
| Назначение | High Power, High Voltage, General Purpose |
| to3 | Распиновка |
|---|---|
 |
 |