Параметр | Значение/Ед.Измерения |
---|---|
Материал | Silicon |
Полярность | npn |
Pc,max | 600mW |
Ucb,max | 125V |
Uce,max | 80V |
Ueb,max | 5V |
Ic,max | 100mA |
Ft,max | 30MHz |
Cctip,pF | 10 |
Hfe | 60/200 |
Tj,max | 175ºC |
Аналоги | BSS42 2N3019 P308 |
Изготовитель |
tiБиполярные транзисторы tiIGBT транзисторы tiFET транзисторы ti |
Назначение | Low Power, Medium Voltage, General Purpose |
to5 | Распиновка |
---|---|