Параметр | Значение/Ед.Измерения |
---|---|
Материал | Germanium |
Полярность | pnp |
Pc,max | 100mW |
Ucb,max | 45V |
Uce,max | - |
Ueb,max | 10V |
Ic,max | 100mA |
Ft,max | 400KHz |
Cctip,pF | - |
Hfe | 65T |
Tj,max | 75ºC |
Аналоги | ASY76 2N406 MGT108B |
Изготовитель |
fujitsuБиполярные транзисторы fujitsuIGBT транзисторы fujitsuFET транзисторы fujitsu |
Назначение | Low Power, General Purpose |
r55 | Распиновка |
---|---|