Параметр | Значение/Ед.Измерения |
---|---|
Материал | Silicon |
Полярность | pnp |
Pc,max | 80W |
Ucb,max | 110V |
Uce,max | 110V |
Ueb,max | 5V |
Ic,max | 7A |
Ft,max | - |
Cctip,pF | - |
Hfe | 4000T |
Tj,max | 150ºC |
Аналоги | BDV64C 2N6052 KT887B |
Изготовитель |
mitsubishiБиполярные транзисторы mitsubishiIGBT транзисторы mitsubishiFET транзисторы mitsubishi |
Назначение | Darlington, Power |
to3 | Распиновка |
---|---|