Биполярный транзистор - 2SB646
| Параметр | Значение/Ед.Измерения |
|---|---|
| Материал | Silicon |
| Полярность | pnp |
| Pc,max | 900mW |
| Ucb,max | 100V |
| Uce,max | 80V |
| Ueb,max | - |
| Ic,max | 50mA |
| Ft,max | 70MHz |
| Cctip,pF | - |
| Hfe | 60/320 |
| Tj,max | 125ºC |
| Аналоги | BCX30 2N5401 KT632B |
| Изготовитель |
hitachiБиполярные транзисторы hitachiIGBT транзисторы hitachiFET транзисторы hitachi |
| Назначение | Low Power, Medium Voltage, General Purpose |
| to92 | Распиновка |
|---|---|
 |
 |