Биполярный транзистор - 2N1613S
| Параметр | Значение/Ед.Измерения |
|---|---|
| Материал | Silicon |
| Полярность | npn |
| Pc,max | 800mW |
| Ucb,max | 75V |
| Uce,max | 50V |
| Ueb,max | 12V |
| Ic,max | 1A |
| Ft,max | 60MHz |
| Cctip,pF | 25 |
| Hfe | 40/120 |
| Tj,max | 175ºC |
| Аналоги | BC211 2N1613 KT630G |
| Изготовитель |
motorolaБиполярные транзисторы motorolaIGBT транзисторы motorolaFET транзисторы motorola |
| Назначение | Switvhing, DC Amplifiers |
| to5 | Распиновка |
|---|---|
 |
 |