Биполярный транзистор - 108T2
| Параметр | Значение/Ед.Измерения |
|---|---|
| Материал | Silicon |
| Полярность | npn |
| Pc,max | 175W |
| Ucb,max | 120V |
| Uce,max | 80V |
| Ueb,max | 10V |
| Ic,max | 30A |
| Ft,max | 10MHz |
| Cctip,pF | - |
| Hfe | 20/60 |
| Tj,max | 200ºC |
| Аналоги | BDY58 |
| Изготовитель |
steБиполярные транзисторы steIGBT транзисторы steFET транзисторы ste |
| Назначение | High Power, High Voltage, High Frequency |
| to3 | Распиновка |
|---|---|
 |
 |