Параметр | Значение/Ед.Измерения |
---|---|
Материал | Silicon |
Полярность | pnp |
Pc,max | 40W |
Ucb,max | 110V |
Uce,max | 90V |
Ueb,max | 5V |
Ic,max | 8A |
Ft,max | 20MHz |
Cctip,pF | - |
Hfe | 4000T |
Tj,max | 180ºC |
Аналоги | BD652 2N6297 2SB791 KT709A2 |
Изготовитель |
mitsubishiБиполярные транзисторы mitsubishiIGBT транзисторы mitsubishiFET транзисторы mitsubishi |
Назначение | Darlington, Power |
to220 | Распиновка |
---|---|