Параметр | Значение/Ед.Измерения |
---|---|
Материал | Silicon |
Полярность | npn |
Pc,max | 4W |
Ucb,max | 75V |
Uce,max | - |
Ueb,max | 4V |
Ic,max | 1A |
Ft,max | 12MHz |
Cctip,pF | - |
Hfe | 20MIN |
Tj,max | 175ºC |
Аналоги | BD535 2N5294 KT815V |
Изготовитель |
mitsubishiБиполярные транзисторы mitsubishiIGBT транзисторы mitsubishiFET транзисторы mitsubishi |
Назначение | Medium Power, General Purpose |
to218 | Распиновка |
---|---|