Параметр | Значение/Ед.Измерения |
---|---|
Материал | Silicon |
Полярность | npn |
Pc,max | 300mW |
Ucb,max | 20V |
Uce,max | 12V |
Ueb,max | 3V |
Ic,max | 50mA |
Ft,max | 1.5GHz |
Cctip,pF | - |
Hfe | 60MIN |
Tj,max | 200ºC |
Аналоги | BFT18A 2N5836 KT372A |
Изготовитель |
mitsubishiБиполярные транзисторы mitsubishiIGBT транзисторы mitsubishiFET транзисторы mitsubishi |
Назначение | Ultra High Frequency, Medium Power, High Current |
to51 | Распиновка |
---|---|