Параметр | Значение/Ед.Измерения |
---|---|
Материал | Silicon |
Полярность | npn |
Pc,max | 7W |
Ucb,max | 90V |
Uce,max | 80V |
Ueb,max | 6V |
Ic,max | 800mA |
Ft,max | 70MHz |
Cctip,pF | - |
Hfe | 35MIN |
Tj,max | 125ºC |
Аналоги | BD441 2N5192 KT815G |
Изготовитель |
mitsubishiБиполярные транзисторы mitsubishiIGBT транзисторы mitsubishiFET транзисторы mitsubishi |
Назначение | Medium Power, High Current |
to202 | Распиновка |
---|---|