Биполярный транзистор - 2N1662
| Параметр | Значение/Ед.Измерения |
|---|---|
| Материал | Silicon |
| Полярность | npn |
| Pc,max | 85W |
| Ucb,max | 120V |
| Uce,max | 100V |
| Ueb,max | - |
| Ic,max | 2A |
| Ft,max | 25MHz |
| Cctip,pF | - |
| Hfe | 45/135 |
| Tj,max | 175ºC |
| Аналоги | BDX95 2N5759 KT819GM |
| Изготовитель |
raytheonБиполярные транзисторы raytheonIGBT транзисторы raytheonFET транзисторы raytheon |
| Назначение | High Power, High Voltage, High Frequency |
| to53 | Распиновка |
|---|---|
 |
 |