Биполярный транзистор - 2N1663
| Параметр | Значение/Ед.Измерения |
|---|---|
| Материал | Silicon |
| Полярность | npn |
| Pc,max | 150mW |
| Ucb,max | 25V |
| Uce,max | 15V |
| Ueb,max | - |
| Ic,max | 100mA |
| Ft,max | 75MHz |
| Cctip,pF | 3.5 |
| Hfe | 30/150 |
| Tj,max | 175ºC |
| Аналоги | BSS11 2N2297 KT630G |
| Изготовитель |
phoБиполярные транзисторы phoIGBT транзисторы phoFET транзисторы pho |
| Назначение | Low Power, General Purpose |
| to9 | Распиновка |
|---|---|
 |
 |