Параметр | Значение/Ед.Измерения |
---|---|
Материал | Silicon |
Полярность | npn |
Pc,max | 800mW |
Ucb,max | 30V |
Uce,max | 16V |
Ueb,max | 4V |
Ic,max | 500mA |
Ft,max | 100MHz |
Cctip,pF | - |
Hfe | 20MIN |
Tj,max | 175ºC |
Аналоги | BSW54 2N2219A KT645A |
Изготовитель |
mitsubishiБиполярные транзисторы mitsubishiIGBT транзисторы mitsubishiFET транзисторы mitsubishi |
Назначение | Medium Power, General Purpose |
to72 | Распиновка |
---|---|