Параметр | Значение/Ед.Измерения |
---|---|
Материал | Silicon |
Полярность | npn |
Pc,max | 5W |
Ucb,max | 35V |
Uce,max | 25V |
Ueb,max | 4V |
Ic,max | 150mA |
Ft,max | 400MHz |
Cctip,pF | - |
Hfe | 20MIN |
Tj,max | 150ºC |
Аналоги | BD169 2N4923 KT815A |
Изготовитель |
mitsubishiБиполярные транзисторы mitsubishiIGBT транзисторы mitsubishiFET транзисторы mitsubishi |
Назначение | UHF, Low Power, High Current |
to128 | Распиновка |
---|---|