Параметр | Значение/Ед.Измерения |
---|---|
Материал | Silicon |
Полярность | npn |
Pc,max | 13W |
Ucb,max | 80V |
Uce,max | 60V |
Ueb,max | 4V |
Ic,max | 4A |
Ft,max | 10MHz |
Cctip,pF | - |
Hfe | 10MIN |
Tj,max | 150ºC |
Аналоги | BD169 2N4923 2SC799 KT815A |
Изготовитель |
mitsubishiБиполярные транзисторы mitsubishiIGBT транзисторы mitsubishiFET транзисторы mitsubishi |
Назначение | RF, Power |
to37 | Распиновка |
---|---|