Параметр | Значение/Ед.Измерения |
---|---|
Материал | Germanium |
Полярность | npn |
Pc,max | 120mW |
Ucb,max | 40V |
Uce,max | - |
Ueb,max | - |
Ic,max | 200mA |
Ft,max | 2MHz |
Cctip,pF | 4 |
Hfe | 15MIN |
Tj,max | 75ºC |
Аналоги | ASY29 2N1304 MP35 |
Изготовитель |
genБиполярные транзисторы genIGBT транзисторы genFET транзисторы gen |
Назначение | RF, Low Power, General Purpose |
to5 | Распиновка |
---|---|