Параметр | Значение/Ед.Измерения |
---|---|
Материал | Germanium |
Полярность | npn |
Pc,max | 150mW |
Ucb,max | 30V |
Uce,max | 25V |
Ueb,max | 20V |
Ic,max | 200mA |
Ft,max | 3MHz |
Cctip,pF | 35 |
Hfe | 30T |
Tj,max | 75ºC |
Аналоги | ASY28 2N1304 GT122A |
Изготовитель |
matsushitaБиполярные транзисторы matsushitaIGBT транзисторы matsushitaFET транзисторы matsushita |
Назначение | Medium Power, Switching, High Frequency |
to5 | Распиновка |
---|---|