Параметр | Значение/Ед.Измерения |
---|---|
Материал | Silicon |
Полярность | npn |
Pc,max | 200mW |
Ucb,max | 7V |
Uce,max | - |
Ueb,max | 3V |
Ic,max | 60mA |
Ft,max | 4.5GHz |
Cctip,pF | 1 |
Hfe | 50T |
Tj,max | 175ºC |
Аналоги | |
Изготовитель |
okiБиполярные транзисторы okiIGBT транзисторы okiFET транзисторы oki |
Назначение | Ultra High Frequency, Switching |
to51 | Распиновка |
---|---|