Параметр | Значение/Ед.Измерения |
---|---|
Материал | Silicon |
Полярность | npn |
Pc,max | 4W |
Ucb,max | 35V |
Uce,max | 18V |
Ueb,max | 4V |
Ic,max | 500mA |
Ft,max | 350MHz |
Cctip,pF | 7 |
Hfe | 10/180 |
Tj,max | 150ºC |
Аналоги | BFR98 2N2297 KT645A |
Изготовитель |
mitsubishiБиполярные транзисторы mitsubishiIGBT транзисторы mitsubishiFET транзисторы mitsubishi |
Назначение | Medium Power, General Purpose |
to39 | Распиновка |
---|---|