Параметр | Значение/Ед.Измерения |
---|---|
Материал | Silicon |
Полярность | npn |
Pc,max | 5W |
Ucb,max | 35V |
Uce,max | 25V |
Ueb,max | 4V |
Ic,max | 1A |
Ft,max | 500MHz |
Cctip,pF | 20 |
Hfe | 20/180 |
Tj,max | 175ºC |
Аналоги | BFW47 2N3137 KT911G |
Изготовитель |
mitsubishiБиполярные транзисторы mitsubishiIGBT транзисторы mitsubishiFET транзисторы mitsubishi |
Назначение | Ultra High Frequency, Medium Power, High Current |
to128 | Распиновка |
---|---|