Параметр | Значение/Ед.Измерения |
---|---|
Материал | Silicon |
Полярность | pnp |
Pc,max | 410mW |
Ucb,max | 32V |
Uce,max | 32V |
Ueb,max | 8V |
Ic,max | 500mA |
Ft,max | 1.5MHz |
Cctip,pF | 22 |
Hfe | 15T |
Tj,max | 100ºC |
Аналоги | 2N722A BC337 KT620B |
Изготовитель |
tiБиполярные транзисторы tiIGBT транзисторы tiFET транзисторы ti |
Назначение | Low Power, General Purpose |
to5 | Распиновка |
---|---|