Биполярный транзистор - 2N1683

Параметр Значение/Ед.Измерения
Материал Germanium
Полярность pnp
Pc,max 150mW
Ucb,max 15V
Uce,max 12V
Ueb,max -
Ic,max 100mA
Ft,max 40MHz
Cctip,pF 6
Hfe 50MIN
Tj,max 75ºC
Аналоги AF124 2N1305 GT308V GT308B
Изготовитель

idi

Биполярные транзисторы idi

IGBT транзисторы idi

FET транзисторы idi
Назначение RF, Low Power, General Purpose
to5 Распиновка