Параметр | Значение/Ед.Измерения |
---|---|
Материал | Silicon |
Полярность | pnp |
Pc,max | 410mW |
Ucb,max | 64V |
Uce,max | 64V |
Ueb,max | 12V |
Ic,max | 500mA |
Ft,max | 1.5MHz |
Cctip,pF | 22 |
Hfe | 15T |
Tj,max | 100ºC |
Аналоги | 2N1196 BC212 KT632B |
Изготовитель |
tiБиполярные транзисторы tiIGBT транзисторы tiFET транзисторы ti |
Назначение | Low Power, General Purpose |
to5 | Распиновка |
---|---|