Параметр | Значение/Ед.Измерения |
---|---|
Материал | Silicon |
Полярность | npn |
Pc,max | 300mW |
Ucb,max | 30V |
Uce,max | - |
Ueb,max | 10V |
Ic,max | 300mA |
Ft,max | - |
Cctip,pF | - |
Hfe | 40000T |
Tj,max | 175ºC |
Аналоги | |
Изготовитель |
njrБиполярные транзисторы njrIGBT транзисторы njrFET транзисторы njr |
Назначение | Darlington, Low Power |
to92 | Распиновка |
---|---|