Параметр | Значение/Ед.Измерения |
---|---|
Материал | Silicon |
Полярность | npn |
Pc,max | 5W |
Ucb,max | 50V |
Uce,max | - |
Ueb,max | 4V |
Ic,max | 350mA |
Ft,max | 1GHz |
Cctip,pF | - |
Hfe | 10/180 |
Tj,max | 175ºC |
Аналоги | BFT99 |
Изготовитель |
mitsubishiБиполярные транзисторы mitsubishiIGBT транзисторы mitsubishiFET транзисторы mitsubishi |
Назначение | VHF, Medium Power, Hihg Current |
to128 | Распиновка |
---|---|