Биполярный транзистор - 109T2

Параметр Значение/Ед.Измерения
Материал Silicon
Полярность npn
Pc,max 175W
Ucb,max 160V
Uce,max 125V
Ueb,max 10V
Ic,max 30A
Ft,max 10MHz
Cctip,pF -
Hfe 20/60
Tj,max 200ºC
Аналоги BDY58
Изготовитель

ste

Биполярные транзисторы ste

IGBT транзисторы ste

FET транзисторы ste

Назначение High Power, High Voltage, High Frequency
to3 Распиновка