Параметр | Значение/Ед.Измерения |
---|---|
Материал | Silicon |
Полярность | npn |
Pc,max | 175W |
Ucb,max | 160V |
Uce,max | 125V |
Ueb,max | 10V |
Ic,max | 30A |
Ft,max | 10MHz |
Cctip,pF | - |
Hfe | 20/60 |
Tj,max | 200ºC |
Аналоги | BDY58 |
Изготовитель |
steБиполярные транзисторы steIGBT транзисторы steFET транзисторы ste |
Назначение | High Power, High Voltage, High Frequency |
to3 | Распиновка |
---|---|