Параметр | Значение/Ед.Измерения |
---|---|
Материал | Silicon |
Полярность | npn |
Pc,max | 10W |
Ucb,max | 36V |
Uce,max | 18V |
Ueb,max | 3V |
Ic,max | 600mA |
Ft,max | 600MHz |
Cctip,pF | 14 |
Hfe | 10/200 |
Tj,max | 175ºC |
Аналоги | BLX66 2N5917 KT929A |
Изготовитель |
mitsubishiБиполярные транзисторы mitsubishiIGBT транзисторы mitsubishiFET транзисторы mitsubishi |
Назначение | Ultra High Frequency, Medium Power, High Current |
to3 | Распиновка |
---|---|