Параметр | Значение/Ед.Измерения |
---|---|
Материал | Silicon |
Полярность | npn |
Pc,max | 100W |
Ucb,max | 120V |
Uce,max | 80V |
Ueb,max | 10V |
Ic,max | 7.5A |
Ft,max | 10MHz |
Cctip,pF | 550 |
Hfe | 20/90 |
Tj,max | 175ºC |
Аналоги | BLY17 2N3442 KT812V |
Изготовитель |
rsmБиполярные транзисторы rsmIGBT транзисторы rsmFET транзисторы rsm |
Назначение | High Power, High Voltage, General Purpose |
to53 | Распиновка |
---|---|