Параметр | Значение/Ед.Измерения |
---|---|
Материал | Silicon |
Полярность | npn |
Pc,max | 117W |
Ucb,max | 180V |
Uce,max | 120V |
Ueb,max | 10V |
Ic,max | 5A |
Ft,max | 10MHz |
Cctip,pF | 50 |
Hfe | 30/90 |
Tj,max | 200ºC |
Аналоги | 2N5542 KT847B |
Изготовитель |
steБиполярные транзисторы steIGBT транзисторы steFET транзисторы ste |
Назначение | High Power, High Voltage, High Frequency |
to61 | Распиновка |
---|---|