Параметр | Значение/Ед.Измерения |
---|---|
Материал | Silicon |
Полярность | npn |
Pc,max | 200mW |
Ucb,max | 90V |
Uce,max | 90V |
Ueb,max | 5V |
Ic,max | 50mA |
Ft,max | 75MHz |
Cctip,pF | 4 |
Hfe | 500T |
Tj,max | 150ºC |
Аналоги | BF297 2N6218 KT666A9 |
Изготовитель |
mitsubishiБиполярные транзисторы mitsubishiIGBT транзисторы mitsubishiFET транзисторы mitsubishi |
Назначение | Low Power, Medium Voltage, General Purpose |
to92 | Распиновка |
---|---|